韩企展示层闪存样品（展示层是什么）

科技日报首尔8月9日电(记者闫学)韩国半导体制造商SK海力士于当地时间8月8日在美国加州圣克拉拉举行的世界闪存峰会“FMS 2023”上公布了321层4D闪存的研发进展，并展示了现阶段研发的样品。

NAND闪存根据一个单元中存储多少信息(位单位)来区分规格。其中有1个SLC，2个MLC，3个TLC，4个QLC和5个PLC。随着信息存储量的增加，在相同的晶片面积上可以存储更多的数据。

SK海力士在内存行业首次公开了300层以上NAND的具体开发流程，并表示将在2025年上半年实现量产目标。与上一代238层512Gb NAND相比，321层1Tb TLC NAND生产效率提升59%。由于数据存储单元可以用更多的单芯片堆叠到更高的水平，因此可以在同一芯片上实现更大的存储容量，从而增加单位晶片的芯片输出数量。

在峰会上，SK海力士还推出了针对高性能存储需求优化的下一代NAND产品解决方案:企业级固态硬盘(eSSD)和具有PCIe 5接口的UFS 4.0。该公司还表示，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以满足未来更高的存储和计算需求。