表Tech Insights对英飞凌IGBTs的分析、报告参考和值得注意的创新。
关于IGBT
多年来，关于谁“发明”了IGBT，一直存在一些争议，这里就不深入讨论了。最广泛的共识是Jayant Baliga教授(他在这个领域仍然非常活跃，现在是北卡罗来纳州立大学功率半导体研究中心的主任)。20世纪80年代初，他在通用电气公司广泛从事IGBT技术的研究和开发。
在结构上，IGBT只是一个垂直功率扩散(VD-MOSFET)，底部是P型集电极，而不是N+漏极接触，这使它成为一个双极器件。虽然有人说这是对其功能的过度简化。
IGBT可以用几种方式来解释和建模。我的偏好是成为一个MOSFET驱动的双极晶体管(BJT)。双极晶体管的功率能力与MOSFET的简单驱动要求和低关态功耗相结合。在正向导通期间，电子从顶部MOSFET“注入”漂移区，空穴从底部P+集电极“注入”，如图1所示。
图1:1:IGBT的基本结构，包括MOSFET和BJT，有很多复杂微妙的地方，这里就不介绍了。比如有N+接触/P型基极/N型漂移形成的寄生双极晶体管和寄生晶闸管(加底部P+集电极接触)。在这些复杂的问题上，有几本巴利加教授自己写的教材！
图2 a)按功率/频率分类的电力电子应用b)最合适技术的总结。
我希望这篇博客可以表明，IGBTs不仅在固态电力电子解决方案的发展中发挥着重要作用，而且在未来十年甚至更长的时间里还将继续发挥作用。
请关注TechInsights发布的第2部分。我们将介绍IGBT技术的早期发展，从穿通(PT)到第一代非穿通(NPT)设计。TechInsights将讨论它们的优势以及我们在分析过程中发现的一些见解。
参考资料:
[1]博客-评论sic MOSFET单元设计的方法:https://library . tech insights . com/reverse-engineering/blog-viewer/62936 # name = power % 2520 semiconductor。
[2]报告-电动汽车电力电子:800伏、集成设计和碳化硅的使用增加:https://library . tech insights . com/strategy-analytics/analysis-view/EVS-2210-804 # sidebar = true
[3]https://www . Infineon . com/CMS/cn/about-Infineon/press/market-news/2022/INF ATV 202206-088 . html
[4]https://www . science direct . com/book/9781455731435/the-IGBT-device
出发地:TechInsights
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