英特尔10纳米和台积电7纳米，英特尔10纳米制程密度

最近，英特尔在马来西亚的封装测试工厂举行了一次代表团活动，这是该工厂51年来首次开放媒体参观槟城和巨林工厂。过程中，第一款采用Intel 4工艺的处理器，直到今年下半年才正式发布的实际运行情况，在生产线上首次曝光。

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这意味着芯片已经进入了最后的准备阶段，也表明英特尔四年内推进五个工艺节点的计划又向前迈进了一大步。

英特尔在全球有10个生产基地。此次邀请了来自世界各地的数百家媒体和分析师参观槟城的组装测试厂、故障分析实验室和验证实验室，以及巨林的晶圆加工厂和测试设备厂。

在槟城的组装和测试工厂，外界能够直接攻击英特尔将在下半年晚些时候亮相的流星湖处理器。它由四个小芯片合并而成，已经在生产线上进行了总装测试。

目前英特尔量产最先进的技术是Intel 7工艺，相比上一代Intel 10的SuperFin工艺，每瓦性能提升约10%-15%。流星湖采用Intel 4工艺生产，并引入了极紫外(EUV)光刻技术。这种工艺被宣传为将产品的性能功耗比提高了约20%。未来公司将继续向Intel 3工艺推进，预计今年下半年可以量产，Intel 20A和18A工艺计划分别在明年上半年和下半年进入量产准备阶段。

英特尔正在马来西亚槟城新建封装工厂，加强2.5D/3D封装布局。到2025年，其最先进的3D Foveros包装产能将向客户开放。

预计英特尔结合先进的制造工艺和先进的封装能源后，“一站式生产”的实力将大幅提升，在晶圆代工领域更具竞争力，将再次与TSMC和三星展开竞争。

同时，在英特尔自身的先进封装能力发展壮大，并喊出客户只选择其先进封装方案后，预计封装测试市场也将出现动荡，应密切关注对日月、安乔等OSAT封装测试厂的影响。

TSMC和三星正在积极部署先进的封装技术。TSMC专注于3D面料的高级包装，包括InFo、CoWoS和SoIC解决方案；三星还开发I-cube和X-Cube等封装技术。

英特尔的高级封装包括2.5DIMB和3D Foveros解决方案。半导体三雄的竞争态势从晶圆代工领域延伸到高级封装领域。

英特尔2017年开始推出EMIB封装，2019年推出第一代Foveros封装，当时凸点间距为50微米。预计将于今年晚些时候推出的最新流星湖处理器将通过使用第二代Foveros封装技术，进一步将凸点间距降至36微米。

英特尔现阶段并未透露其3D Foveros封装总产能，只是强调除了俄勒冈州和新墨西哥州，未来在槟城的新工厂也会有相关产能，到2025年这三个据点的3D封装总产能将增至4倍。

英特尔副总裁罗宾·马丁(robin Martin)22日在接受采访时强调，槟城的新工厂未来将成为英特尔最大的3D Foveros先进封装基地。

两年前，英特尔宣布将投资35亿美元扩大新墨西哥州的高级封装产能，目前仍在进行中。至于槟城的新工厂，该公司表示，建设进度符合计划，估计新工厂可能在2024年或2025年稍晚建成营运。

值得注意的是，除了晶圆代工和一站式封装服务，英特尔表示，开放允许客户只选择其先进的封装解决方案，希望客户能够有更多的产出弹性。

英特尔在CEO基辛格的领导下，实施IDM 2.0战略，不仅提高了自有晶圆厂的产能，扩大了晶圆代工业务，还希望灵活利用第三方晶圆代工产能。

随着先进工艺的演进，小芯片和异构集成的发展趋势是明确的。相信英特尔的2.5D/3D先进封装布局，不仅能强化自身处理器等产品，也是其客户未来赢得更多晶圆代工服务的一大卖点。

目前，几大晶圆厂都在积极布局先进封装，由于芯片堆叠数量的大量增加，ABF载板的需求成倍增长。

据业内分析，目前各大厂商喊出的3D高级封装仍然需要2.5D封装工艺的载体，良品率仍然较低。如果有海港，各大厂商积极推出多用途，未来对航母的需求可期增加。

被市场点名的厂商总是不评论单个客户信息。业内提到，最初提出3D封装概念时，很多人认为未来不需要载板，因为晶圆厂直接3D堆叠就可以完成整个过程，但实际上只有少数器件产品可以用于终端应用，因为3D封装成本高，只有产品有真正的出路才能降低成本。

业内分析认为，从ABF载板最大需求应用于高速计算的角度来看，3D封装还没有得到充分利用，在部分芯片存储器中只做3D封装。业内提到，目前的3D封装还是2.5D技术加部分3D，中端还没能完全实现只有3D封装没有2.5D封装，2.5D相关高级封装是运营商厂商所在。