东芝开发出业界首款双碳化硅模块,助力工业设备的高效率和小型化

东芝电子元件和存储设备有限公司(简称“东芝”)近日宣布推出业界首款。

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V(典型值)的低漏源导通电压[2]。此外，它还具有低导通和关断损耗，分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3]，比典型的硅(Si)IGBT [4]低约90%。这些特点有助于提高设备的效率。由于MG250YD2YMS3可以实现更低的开关损耗，用户可以用模块更少的两级电路代替传统的三级电路，有助于设备的小型化。

东芝将继续创新，满足市场对工业设备高效率和小型化的需求。

■应用:

工业/商业单位

-可再生能源发电系统(光伏发电系统等。)

-能量储存系统

-工业设备的电机控制设备

-高频DC-DC转换器和其他设备

■特点:

-低漏源导通电压(传感器):

VDS(开)感测= 0.7V(典型值)(ID = 250a，VGS =+20V，TCH = 25℃)。

-低导通损耗:

Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V，id = 250a，tch = 150℃)。

-低关断损耗:

Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V，id = 250a，tch = 150℃)。

-低寄生电感:

LsPN=12nH(典型值)

■主要规格:

(除非另有规定，Ta = 25℃)

设备型号

MG250YD2YMS3

东芝包装名称

2-153A1A

绝对的

最高的

等级

漏源电压VDSS(V)

2200

栅极-源极电压VGSS(V)

+25/-10

漏极电流(DC)ID(A)

250

漏极电流(脉冲)IDP(A)

500

结温Tch(℃)

150

隔离电压Visol(Vrms)

4000

电的

特点

漏源导通电压(传感器):

VDS(上)感(五)

ID=250A、VGS=+20V、

Tch=25℃

平均数

0.7

源漏导通电压(传感器):

VSD(上)感(五)

IS=250A、VGS=+20V、

Tch=25℃

平均数

0.7

源漏关断电压(传感器):

VSD(关)感(五)

IS=250A、VGS=-6V、

Tch=25℃

平均数

一点六

接通损耗

意昂(兆焦耳)

VDD = 1100伏，

ID=250A、Tch=150℃

平均数

14

关断损耗

Eoff(兆焦耳)

平均数

11

寄生电感LsPN(nH)

平均数

12

注意:

[1]采样范围仅限于双SiC MOSFET模块。该数据基于东芝截至2023年8月的研究。

[2]测量条件:id = 250a，vgs =+20v，tch = 25℃

[3]测量条件:vdd = 1100 v，id = 250a，tch = 150℃

[4]截至2023年8月，东芝比较了2300V Si模块和新SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3的开关损耗(2300V Si模块的性能值是东芝根据3月或之前发表的论文估算的)。

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